ASML, 인텔과 하이NA EUV 첫 양산 성과…"차세대 공정 본격화"

[아이뉴스24 박지은 기자] ASML이 인텔과 함께 차세대 노광 기술인 고개구수 극자외선(High NA EUV)의 첫 양산 성과를 공개했다.

연구개발(R&D) 단계를 넘어 실제 반도체 양산에 적용되면서 차세대 공정 상용화에 속도가 붙을 것으로 기대를 모은다.

ASML은 15일 인텔 파운드리가 인텔 18A 공정에서 자사의 High NA EUV 장비를 활용해 인텔 코어 울트라 시리즈 3(코드명 팬서레이크) 프로세서 일부를 생산하고 있다고 밝혔다.

인텔은 미국 오리건 공장에서 일부 레이어에 High NA EUV를 적용해 기존 극자외선(EUV) 장비와 같은 수준의 수율로 고객에게 제품을 출하하고 있다.

High NA EUV는 기존 EUV보다 더 미세한 회로를 정밀하게 구현할 수 있는 차세대 노광 기술이다. 공정 단계를 줄이면서도 생산성과 전력 효율을 높일 수 있어 2나노미터(㎚) 이하 공정의 핵심 기술로 꼽힌다.

이번 성과는 인텔 18A 공정의 경쟁력을 높였다는 평가를 받는다. 인텔 18A는 차세대 트랜지스터 구조인 리본펫(RibbonFET)과 후면 전력 공급 기술인 파워비아(PowerVia)를 적용한 첨단 공정이다.

여기에 High NA EUV를 안정적으로 적용하면서 향후 초미세 공정 확대 기반도 마련했다.

크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 "High NA EUV는 반도체 노광 기술의 중요한 진전"이라며 "AI를 비롯한 차세대 기술 발전을 가속하는 기반이 될 것"이라고 말했다.

나가 찬드라세카란 인텔 파운드리 총괄은 "이번 성과는 High NA EUV를 첨단 반도체 양산에 적용할 수 있음을 보여준 사례"라며 "생산성을 높이는 동시에 차세대 공정 개발도 이어갈 것"이라고 밝혔다.