삼성전자, 50나노 16Gb 플래시메모리 서막 열어

삼성전자가 낸드플래시 메모리 역사의 새 지평을 연 50나노 기반의 16Gb 제품 개발에 성공했다.

삼성전자 반도체 총괄 황창규 사장은 12일 호텔신라에서 열린 기자간담회를 통해 ▲세계 최소 선폭 50나노 기술을 상용화한 16기가 낸드플래시 ▲업계 최소형 720만 화소 CMOS 이미지 센서 ▲메모리-시스템 LSI 융합 퓨전반도체(3종) 등 올해 개발하거나 양산에 성공한 최첨단 반도체를 발표했다.

50나노는 머리카락 두께 2천분의 1에 해당하는 굵기. 이 굵기가 얇아 질수록 반도체의 집적도는 높아지고 저장용량은 커지게 된다. 16Gb는 2GB의 용량에 해당하는 것으로 최근 주로 사용되는 MP3플레이어의 저장용량보다도 많은 것.

삼성전자는 작년 9월 60나노 8Gb 낸드플래시 개발에 이어 1년만에 집적도를 배로 늘려 황창규 사장이 반도체의 집적도가 매년 배로 늘어난다고 예언한 '황의 법칙'을 이어가게 됐다.

황 사장은 "인류는 지금 '제2의 종이 혁명' 다시말해 '디지털 페이퍼 시대'를 경험하고 있다"며 "플래시 메모리는 이미 우리 실생활에 깊이 파고 들고 있으며, 앞으로는 살아가는 데 없어서는 안될 생활 필수품으로 인식돼 19세기 미국의 '골드 러시'에 비견되는 이른바 '플래시 러시 현상'이 가속화 될 것" 이라고 전망했다.

그는 "가까운 미래에 필름, 테이프, CD, HDD 등 휴대가 가능한 모든 모바일 저장매체는 궁극적으로 플래시 메모리가 완전 대체하게 될 것"이라고 말했다.

한편 이날 함께 발표된 CMOS는 세계 최소형의 크기에 720만화소를 지원하는 혁신적인 제품. 삼성은 올해 320만, 500만 화소에 이어 720만 화소 CIS 개발까지 성공함으로써 단기간 내에 세계 최고 수준의 이미지 센서 기술을 보유하게 됐다.

황 사장은 "원낸드라는 퓨전 반도체도 이미 양산 중에 있으며 올들어 메모리와 시스템 LSI 제품 시너지를 통한 퓨전 반도체 사업에 더욱 박차를 가하고 있다"고 말했다.