삼성전자, 세계 최초 60나노 1G D램 양산 개시

삼성전자가 세계 최초로 60나노급 공정을 적용한 1기가 DDR2 D램 양산에 착수했다.

삼성전자는 지난 해 3월 80나노 공정을 적용한 512Mb D램을 양산, 세계 최초로 80나노 D램 시대를 개막한 바 있는데 1년도 안된 시점에서 역시 세계 최초로 80나노 대비 2세대 앞선 60나노급 1기가 D램 양산을 실현하는데 성공했다.

이번 60나노급 D램은 2005년말 삼성전자가 세계 최초로 개발한 제품이다.

삼성전자는 2000년 150나노급 이후 작년 50나노급에 이르기까지 7세대 연속 최첨단 공정기술 세계 최초 개발이라는 진기록을 세운 바 있다.

60나노급 공정은 기존 80나노 대비 40% 이상, D램 업계의 현재 주력 양산 공정인 90나노에 비해서는 2배 이상 생산성 향상이 가능해 경쟁사와의 원가 경쟁력 차이를 더욱 확대할 수 있는 최첨단 공정 기술이다.

삼성전자는 50나노 이하 초미세 기술을 위해 수년 전에 이미 확보한 원천기술을 금번 60나노 디램 양산에도 적용하고 있다.

60나노 D램 세계 최초 양산은 그 자체로도 의미가 있지만, 향후 50나노, 40나노급 제품 개발과 양산에 있어서도 삼성이 지속적으로 업계를 리드해 나갈 수 있는 기반을 마련했다는 점에서 더욱 커다란 의미가 있다.

60나노급 제품 양산의 또 다른 의미는 D램의 기가시대를 본격적으로 여는 계기가 될 것이란 점이다.

60나노급 D램은 초고속 동작은 물론 저소비전력 특성이 강화된 설계 기술을로 대용량 PC향 D램, 초고속 동작이 요구되는 그래픽 D램, 저전력과 대용량이 동시에 요구되는 모바일 D램 등 모든 D램에 확대 적용이 가능하다.

특히 윈도우 비스타의 출시로 시스템당 채용되는 평균 메모리 용량이 512메가 바이트에서 최대 2기가 바이트까지 확대됨으로써 1기가 D램의 시장 확대는 더욱 가속화 될 전망이다.

60나노급 D램의 시장 창출 규모는 올해 23억달러를 시작으로 2009년까지 누계로는 320억달러에 육박할 전망이다.

삼성전자는 금번 1기가 DDR2를 시작으로 향후 2기가 DDR2, 1기가 DDR3 등 모든 주력 제품들에 60나노 기술을 확대 적용, D램 시장에서의 지배력을 지속 극대화해 나갈 계획이다.