삼성, '속도 70%↑·소비전력↓' D램 개발

삼성이 기존 제품보다 속도를 70% 높이고 소비전력은 40% 낮춘 D램을 개발했다.

삼성전자(대표 최지성)는 3D-TSV(Through Silicon Via) 패키징 방식을 적용한 8기가바이트(GB) DDR3(Double Data Rate 3) D램을 개발했다고 7일 발표했다.

3D-TSV 기술은 실리콘 웨이퍼를 수십 마이크로미터(㎛) 두께로 만든 칩에 구멍을 뚫고 동일한 칩을 수직으로 적층해 관통 전극으로 연결한 패키징 기법이다. 쌓아올린 칩을 와이어로 연결하는 기존 방식에 비해 보다 빠르게 동작하고 칩의 두께 및 소비전력을 줄일 수 있다.

삼성전자에 따르면 3D-TSV 기법을 적용한 D램의 경우 기존 제품에 비해 2~4배 대용량을 구현할 수 있다. 또 서버에 탑재하는 메모리 용량을 높여 서버 시스템의 선능을 50% 이상 향상할 수 있다.

삼성전자 관계자는 "2기가비트 칩을 와이어 본딩 방식으로 적층한 대용량 제품은 서버에서 800Mbps 속도로 동작하는데 반해 3D-TSV 방식으로 적층한 제품은 1천333Mbps로 작동한다"며 "속도를 70% 높일 수 있고 소비전력도 40% 이상 절감할 수 있다"고 말했다.

삼성전자 반도체사업부 메모리 상품기획팀 김창현 전무는 "2008년에 3D-TSV 적층 칩을 개발한 데 이어 이번에 서버용 메모리 모듈을 개발함으로써 고객들이 친환경 서버를 개발하는 데 크게 기여할 수 있게 됐다"며 "앞으로 3D-TSV 기술 기반의 대용량 메모리 솔루션을 지속적으로 출시하겠다"고 말했다.